| 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性 |
| |
| 引用本文： | 张永兴,孙国胜,王雷,赵万顺,高欣,曾一平,李晋闽,李思渊.3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性[J].半导体学报,2004,25(9):1091-1096. |
| |
| 作者姓名： | 张永兴 孙国胜 王雷 赵万顺 高欣 曾一平 李晋闽 李思渊 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，中国科学院半导体研究所新材料部，兰州大学物理科学与技术学院 北京100083，兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，北京100083，兰州730000 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金 ( No.G2 0 0 0 0 683 )，国家高技术研究与发展计划 ( No.2 0 0 1AA3 110 90 )资助项目~~ |
| |
| 摘 要： | 研究了低压化学气相淀积方法制备的n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管(HJD)在30 0～4 80 K高温下的电流密度-电压(J- V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×10 4 ,在4 80 K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在30 0 K温度下反向击穿电压最高可达2 2 0 V .电容-电压特性表明该Si C/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极Si C/Si HBT
|
| 关 键 词： | LPCVD 异质结二极管 高温特性 |
High Temperature
Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD |
| |
| Zhang Yongxing.High Temperature
Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(9):1091-1096. |
| |
| Authors: | Zhang Yongxing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LPCVD heterojunction diodes high temperature characteristics |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
