| 高选择性的SiO2/Si干法腐蚀工艺 |
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| 引用本文： | 高东岳,李莹,郭常厚,栾兰. 高选择性的SiO2/Si干法腐蚀工艺[J]. 微处理机, 2003, 0(1): 5-7 |
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| 作者姓名： | 高东岳 李莹 郭常厚 栾兰 |
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| 作者单位： | 东北微电子研究所,沈阳,110032 |
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| 摘 要： | 高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位，本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF6作为主要进给气体，通过调节CHF3和SF6的流量来相应地控制等离子体中有效的F：C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率、两步法腐蚀引线孔的反应离子刻蚀工艺。
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| 关 键 词： | 高选择性 干法腐蚀工艺 大规模集成电路 设计 制造 等离子体 反应离子刻蚀 选择比 二氧化硅 硅 单晶硅 半导体加工 |
| 修稿时间： | 2002-05-21 |
Research into Silicon Dioxide dry Etching Processes with High Selectivity to Single Crystal Silicon and Polysilicon |
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| Gao Dongyue,et al. Research into Silicon Dioxide dry Etching Processes with High Selectivity to Single Crystal Silicon and Polysilicon[J]. Microprocessors, 2003, 0(1): 5-7 |
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| Authors: | Gao Dongyue et al |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma reactive ion etching selectivity |
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