离子注入法增强YIG单晶薄膜的磁光效应

利用离子注入技术，将Ｃｅ￣（＋３）离子注入到ＹＩＧ单晶薄膜中，剂量为１０￣（１４）～１０￣（１６）ｉｏｎｓ／ｃｍ￣２，能量为５００ｋｅＶ。对注入前后的样品进行光吸收谱测量，发现注入后的样品光吸收有明显的增加，且样品颜色变深，对样品进行高温退火，可有效地降低光损耗。离子注入样品磁光特性测量表明Ｃｅ￣（＋３）薄膜有很大的磁光增强作用，且法拉第旋转角随注入剂量增加而增大。