| Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响 |
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| 引用本文： | 孟凡明.Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响[J].压电与声光,2005,27(5):554-556. |
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| 作者姓名： | 孟凡明 |
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| 作者单位： | 安徽大学信息材料与器件重点实验室,安徽合肥230039 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅科研基金资助项目（2005KJ224）;安徽大学教学研究基金资助项目（X200521）;安徽大学信息材料与器件重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究Ta2O5对（Sr，Bt，St，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响，发现随着Ta2O5增加，晶粒电阻呈现“U”字型变化规律，按照配方TiO2＋0．3％（SrCO3＋Bt2O3＋SiO2）＋0．1%Ta2O5（摩尔分数）配制的样品的晶粒电阻最小，这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。
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| 关 键 词： | TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化 |
| 文章编号： | 1004-2474(2005)05-0554-03 |
| 收稿时间： | 2003-12-24 |
| 修稿时间： | 2003年12月24 |
Influence of Ta2O5 on Semi-conductivity Properties TiO2-based Varistor |
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| MENG Fan-ming.Influence of Ta2O5 on Semi-conductivity Properties TiO2-based Varistor[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(5):554-556. |
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| Authors: | MENG Fan-ming |
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| Affiliation: | Anhui Key Lab. of Information Materials and Devices, School of Physics and Materials Science, Anhui University, Hefei 230039 ,China |
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| Abstract: | The semi-conductivity properties of(Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO_2-based varistor with various Ta_2O_5 dopants were investigated.It was found that grain resistance increase first and then decrease accompanying Ta_2O_5 contents,increase.A sample which with added components of TiO_2 0.3%(SrCO_3 Bi_2O_3 SiO_2) 0.1%Ta_2O_5 displayed minimum grain resistance.The resuled indicated that Ta_2O_5 contents,increase contribute to the semi-conductivity of(Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO_2-based varistor. |
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| Keywords: | TiO2-based varistor breakdown voltage nonlinear exponent electric capacity grain resistance semi- conductivity |
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