首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响
引用本文:孟凡明.Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响[J].压电与声光,2005,27(5):554-556.
作者姓名:孟凡明
作者单位:安徽大学信息材料与器件重点实验室,安徽合肥230039
基金项目:安徽省教育厅科研基金资助项目(2005KJ224);安徽大学教学研究基金资助项目(X200521);安徽大学信息材料与器件重点实验室基金资助项目
摘    要:研究Ta2O5对(Sr,Bt,St,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bt2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。

关 键 词:TiO2基压敏陶瓷  压敏电压  非线性系数  电容量  晶粒电阻  半导化
文章编号:1004-2474(2005)05-0554-03
收稿时间:2003-12-24
修稿时间:2003年12月24

Influence of Ta2O5 on Semi-conductivity Properties TiO2-based Varistor
MENG Fan-ming.Influence of Ta2O5 on Semi-conductivity Properties TiO2-based Varistor[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(5):554-556.
Authors:MENG Fan-ming
Affiliation:Anhui Key Lab. of Information Materials and Devices, School of Physics and Materials Science, Anhui University, Hefei 230039 ,China
Abstract:The semi-conductivity properties of(Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO_2-based varistor with various Ta_2O_5 dopants were investigated.It was found that grain resistance increase first and then decrease accompanying Ta_2O_5 contents,increase.A sample which with added components of TiO_2 0.3%(SrCO_3 Bi_2O_3 SiO_2) 0.1%Ta_2O_5 displayed minimum grain resistance.The resuled indicated that Ta_2O_5 contents,increase contribute to the semi-conductivity of(Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO_2-based varistor.
Keywords:TiO2-based varistor  breakdown voltage  nonlinear exponent  electric capacity  grain resistance  semi- conductivity
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号