| 台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究 |
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| 引用本文： | 李淘. 台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究[J]. 光电子．激光, 2010, 0(4): 500-503 |
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| 作者姓名： | 李淘 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所;传感技术国家重点实验室;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目(50632060); 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(C2-32) |
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| 摘 要： | 制备了一系列不同面积的台面型InGaAs红外探测器,通过周长面积比(P/A)的变化分析了器件的暗电流机制及低频噪声性能。结果表明,在现有的材料和工艺水平下,台面边缘和体内的产生复合电流都在总暗电流中占了较大部分。对测试结构器件的低频噪声测量表明,在反偏下,器件表现出明显的1/f噪声;由于边缘产生复合电流对小尺寸器件的影响大,其产生的噪声使得器件总噪声变大。这些结果表明,以后的工艺改进应注重减少边缘电流和体内产生复合电流。
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| 关 键 词： | 红外探测器 InGaAs 暗电流 噪声 |
Investigation on dark current and low frequency noise of mesa type InGaAs infrared detector |
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| LI Tao. Investigation on dark current and low frequency noise of mesa type InGaAs infrared detector[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2010, 0(4): 500-503 |
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| Authors: | LI Tao |
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| Affiliation: | LI Tao1,2,WANG yang1,LI Yong-fu1,TANG Heng-jing1,LI Xue1,GONG Hai-mei1**(1.State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Key Laboratories of Infrared Imaging Materials , Detectors,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China,2.Graduate School of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China) |
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| Abstract: | We fabricate a series of mesa type InGaAs infrared detectors with different areas.We use perimeter-to-area analysis to investigate the dark current mechanism and low frequency noise characteristic of these detectors.In these detectors the generation-recombination(g-r) currents that are related to mesa edge and the bulk dominate the total dark current.The results of the noise measurement show that,at low frequencies the detectors are 1/f noise dominated.The total noise becomes larger with the increasing edge... |
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| Keywords: | infrared detector InGaAs dark current noise |
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