| InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术 |
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| 引用本文： | 冯威,刘健.InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术[J].半导体技术,2009,34(11). |
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| 作者姓名： | 冯威 刘健 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(973)，河北省信息产业专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注.用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了封装的负面影响,并进行了试制验证;电路芯片采用InGaWGaAs HBT工艺制作并使用了16引脚微小引线框架(MLP)封装.无需芯片外表面贴装电容和电感,实现了功率放大器的低损耗输出阻抗匹配,节省了宝贵的线路板空间.电路测试指标很好地达到了设计要求,证明了该技术的可行性,为高性能、低成本射频功率放大器的开发提供了新的思路.
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| 关 键 词： | 功率放大器 封装 键合线 阻抗匹配 无线通信 异质结双极晶体管 |
Bond-Wire Matching Techniques of InGaP/GaAs HBT Power Amplifier |
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| Feng Wei,Liu Jian.Bond-Wire Matching Techniques of InGaP/GaAs HBT Power Amplifier[J].Semiconductor Technology,2009,34(11). |
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| Authors: | Feng Wei Liu Jian |
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| Affiliation: | Feng Wei,Liu Jian(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | The performance of a radio frequency integrated circuit can be dramatically affected by the package environment,yet it has received comparatively little attention compared to IC fabrication technology and RFIC design.A new bond-wire matching technique of power amplifier with parasitic parameters of the package was used to countervail the negative impacts.Based on this method,a low-loss output impedance matching power amplifier(PAM) was implemented using InGaP/GaAs HBT process and 16-leads microleadframe pac... |
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| Keywords: | power amplifier package bond-wire impedance matching wireless communication HBT |
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