| MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析 |
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| 引用本文： | 陈诺夫,张若愚,华庆恒. MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析[J]. 固体电子学研究与进展, 1992, 0(2) |
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| 作者姓名： | 陈诺夫 张若愚 华庆恒 |
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| 作者单位： | 河北工学院电气工程系，天津电子材料研究所，天津电子材料研究所 天津 300130，300220，300220 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~+-n结构的DLTS结果相同。
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| 关 键 词： | 深能级 MOS结构 肖特基势垒 深能级瞬态谱(DLTS) |
DLTS Measurement and Analysis of MOS Structure |
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| Chen Nuofu. DLTS Measurement and Analysis of MOS Structure[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1992, 0(2) |
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| Authors: | Chen Nuofu |
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| Abstract: | A new method of DLTS measurement and analysis of MOS struc-ture is presented in this paper. This method can be widely used in deep level researches and is very easy to operate. As an example, a deep level in n-Al0.2 Ga0.8As has been detected from two structures of MOS and p+-n to show the same DLTS for them. |
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| Keywords: | Deep Levels MOS Structure Schottky Barrier Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS) |
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