| 退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响 |
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| 引用本文： | 王书运,庄惠照,高海永.退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响[J].材料科学与工程学报,2006,24(4):568-571. |
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| 作者姓名： | 王书运 庄惠照 高海永 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 GaN薄膜 ZnO缓冲层 氨化反应 |
| 文章编号： | 1673-2812(2006)04-0568-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月12 |
Influence of ZnO Buffer Layer and Ammoniate Temperature to GaN Film Nano-structure by Ammoniating Ga2O3/ZnO Film on Silicon Substrate |
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| WANG Shu-yun,ZHUANG Hui-zhao,GAO Hai-yong.Influence of ZnO Buffer Layer and Ammoniate Temperature to GaN Film Nano-structure by Ammoniating Ga2O3/ZnO Film on Silicon Substrate[J].Journal of Materials Science and Engineering,2006,24(4):568-571. |
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| Authors: | WANG Shu-yun ZHUANG Hui-zhao GAO Hai-yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | r f magnetron sputtering GaN film ZnO buffer layers ammoniation reaction |
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