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| 三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响 | |
| 引用本文： | 穆继亮,耿文平,何剑,丑修建.三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响[J].半导体技术,2018,43(10):771-776. |
| 作者姓名： | 穆继亮 耿文平 何剑 丑修建 |
| 作者单位： | 中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学国防科技重点实验室,太原 030051;中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学国防科技重点实验室,太原 030051;中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学国防科技重点实验室,太原 030051;中北大学仪器与电子学院,太原 030051;中北大学国防科技重点实验室,太原 030051 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 硅基 三维(3D)电容器 原子层沉积(ALD) 钨薄膜 金属态 |
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