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| 坩埚下降法生长大尺寸Bi12GeO20晶体的宏观缺陷 | |
| 作者姓名： | 齐雪君 张健 陈雷 王绍涵 李翔 杜勇 陈俊锋 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所;2. 上海交通大学ISFA协同创新中心 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(U1867211)；;上海市“科技创新行动计划”重点项目(20511107402)~~； |
| 摘 要： | Bi12GeO20晶体是一种多功能光电材料,在可见光范围内具有高速光折变响应,以及良好的压电、声光、磁光,旋光和电光等性能。目前,提拉法生长Bi12GeO20晶体,存在生长成本高、晶锭形状不规则、生长产率低、晶体光学质量差和有效晶体截面小等问题。本研究率先采用改进的坩埚下降法,在铂金坩埚和空气气氛中生长大尺寸Bi12GeO20晶体。通过各种分析测试方法研究生长获得的Bi12GeO20晶体中宏观缺陷的形态、分布和成分构成,探讨了晶体生长过程中主要宏观缺陷的形成过程和成因。坩埚下降法生长的Bi12GeO20晶体存在两种主要宏观缺陷：枝蔓状和管状包裹体。其中,枝蔓状包裹体与铂金溶蚀后的析晶相关,而管状包裹体与铂金析出、接种界面不稳定性和温度波动有关。本研究提出了消除坩埚下降法生长晶体中宏观缺陷的技术途径,通过降低生长控制温度、缩短高温熔体保持时间和优选籽晶等措施,可重复地生长... |
| 关 键 词： | Bi12GeO20晶体 坩埚下降法 宏观缺陷 晶体生长 |