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| 复合栅介质对AIGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响 | |
| 作者姓名： | 张佩佩 张辉 张晓东 于国浩 徐宁 宋亮 董志华 张宝顺 |
| 作者单位： | 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州 310018;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州,215123;杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省重点研发计划资助项目;中国科学院重点实验室开放基金 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN 复合栅介质 金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(MISHEMT) 阈值电压 界面态 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |