| Mo掺杂Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2)O_(12)陶瓷的介电性能研究 |
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| 作者姓名： | 刘洋黎嘉豪田长安贺图升王操 |
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| 作者单位： | 1.韶关学院化学与土木工程学院512005; |
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| 基金项目： | 广东省基础与应用基础研究基金(2020A1515011221、2021A1515010671、2022A1515010508);广东省教育厅青年人才项目(2017KQNCX181);广东省普通高校特色创新项目(2021KTSCX122);广东省重点建设学科科研能力提升项目(2021ZDJS071);韶关学院校级自然科学类科研项目(SZ2020KJ03)。 |
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| 摘 要： | 本研究采用固相烧结法制备了Mo掺杂Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2)O_(12)陶瓷,研究了其微观结构、复阻抗及介电性能。结果表明:所有Cu_(3)Ti_(2)Ta_(2-x)Mo_(x)O_(12)陶瓷均形成了类钙钛结构CTTO晶相,且Mo掺量增加时存在TiO_(2)第二相。Mo的掺杂促进了CTTO陶瓷晶粒的生长,增大了样品的ε′,降低了tanδ。R_(gb)值也逐渐增加,提高了φ_(b),晶界电性能得到了增强,显著改善了材料的介电性能。
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| 关 键 词： | 烧结 CTTO 介电性能 晶界 |
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