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| 一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源 | |
| 引用本文： | 刘锡锋,孙萍,居水荣,胡佳莉.一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源[J].半导体技术,2018,43(9):645-651. |
| 作者姓名： | 刘锡锋 孙萍 居水荣 胡佳莉 |
| 作者单位： | 江苏信息职业技术学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院,江苏无锡,214153 |
| 基金项目： | 江苏省教育厅资助项目;江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 全CMOS结构 带隙基准源 亚阈工作状态 低功耗 低温度系数 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |