用浮动区域融熔方法生长单晶YGaIG的均匀性

作者用浮动区域融熔技术生长了几种成分的镓取代钇铁石榴石单晶(YGaIG),同时还研究了在Y_3Fe_(5-x)Ga_xO_(12)系统中,沿平行於以及垂直於生长方向横截面的磁性分布和Ga含量分布。制备的样品成分为Y_3Fe_(5-x)Ga_xO_(12),X=0.9,1.0和1.2。用红外辐射聚焦型装置使直径为10mm,长为100mm的多晶样品棒结晶。用磁天平测量了饱和磁化强度(4πM_s)的分布。铁磁共振线宽(△H)是用直径0.66mm的耦合球,在4GHz的传输线中测量的。4πM_s(?)600高斯的样品的结果表明,在沿晶体生长方向的中心部分的分布是±6.9％,而在垂直於生长方向横截面内4πM_s的分布则是±2.4％,在中心部分△H为0.6～1.0奥斯特。用x射线微观分析仪完成了镓含量的分析,发现在沿着晶体生长的方向Ga含量的分布在平均值附近的±0.34克分子％范围内。