0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计 |
| |
作者姓名: | 张玉良 王志功 苗澎 田玲 |
| |
作者单位: | 东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心,江苏南京,210096 |
| |
基金项目: | 国家高技术研究发展计划;40Gb/s甚短距离并行光传输实验系统,高速芯片之间光互连技术与试验平台 |
| |
摘 要: | 采用SMIC0.18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/sVCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mw。
|
关 键 词: | VCSEL 电压驱动器 RC负反馈 电容耦合电流放大器 |
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录! |