|
|||||
|
|
| SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布 | |
| 引用本文： | 李秋霞,刘永成,荆碧,杨斌,戴永年.SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布[J].真空科学与技术学报,2011,31(4):490-494. |
| 作者姓名： | 李秋霞 刘永成 荆碧 杨斌 戴永年 |
| 作者单位： | 1. 云南师范大学化学化工学院 昆明650092;昆明理工大学真空冶金国家工程实验室 昆明650093 2. 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室 昆明650093 3. 云南师范大学化学化工学院 昆明650092 |
| 基金项目： | 真空冶金国家工程实验室开放基金项目(2006VM02); 云南省自然科学基金项目(2007B045M); 云南省教育厅科学研究基金项目(07C10084); 国家自然科学基金联合资助基金项目(U0837604) |
| 摘 要： | 热力学研究得出:当系统残余压力为100~10 Pa时,SiO2与碳反应在1465~1353 K以上即可生成Si和CO;在1329~1225 K以上即可生成SiC和CO;SiO2和还原剂碳及氟化铝在1464~1353 K以上反应生成SiF4和CO及铝。实验考察了真空低价氟化法炼铝过程中SiO2的分布。XRD表明:SiO2在低价氟化法炼铝过程中有五种走向:(1)被还原成SiC,存在于残渣相;(2)被还原为单质硅,再与还原出的铁生成硅铁,存在于残渣相;(3)SiO2与冰晶石生成铝硅酸盐进入气相中;(4)SiO2与冰晶石生成气态SiF4,再与冰晶石分解的氟化钠形成Na2SiF6进入冷凝相;(5)形成气态低价氧化硅,再在合适温度下分解为单质硅进入冷凝相。 |
| 关 键 词： | 铝冶金 真空 歧化反应 二氧化硅 行为 |
Possible Reaction Paths of Silica in Vacuum Extraction of Aluminum by Fluoridization |
|
| Li Qiuxia,Liu Yongcheng,Jin Bi,Yang Bin,Dai Yongnian.Possible Reaction Paths of Silica in Vacuum Extraction of Aluminum by Fluoridization[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2011,31(4):490-494. | |
| Authors: | Li Qiuxia Liu Yongcheng Jin Bi Yang Bin Dai Yongnian |
| Affiliation: | Li Qiuxia1,2,Liu Yongcheng2,Jin Bi1,Yang Bin1,Dai Yongnian1(1.Chemistry and Chemical Engineering College of Yunnan Normal University,Kunming 650092,China,2.National Engineering Laboratory of Vacuum Metallurgy,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650093,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | Aluminum metallurgy Vacuum Disproportion Silicon dioxide Behavior |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |