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一种BiCMOS过温保护电路
引用本文:谭春玲, 常昌远, 邹一照,. 一种BiCMOS过温保护电路[J]. 电子器件, 2006, 29(2): 357-359,364
作者姓名:谭春玲   常昌远   邹一照  
作者单位:东南大学微电子中心,南京,210096;东南大学微电子中心,南京,210096;东南大学微电子中心,南京,210096
摘    要:在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。

关 键 词:过温保护电路  BiCMOS  PTAT电流源
文章编号:1005-9490(2006)02-0357-03
收稿时间:2006-10-09
修稿时间:2006-10-09

A BiCMOS Thermal-Shutdown Circuit
TAN Chun-ling,CHANG Chang-yuan,ZOU Yi-zhao. A BiCMOS Thermal-Shutdown Circuit[J]. Journal of Electron Devices, 2006, 29(2): 357-359,364
Authors:TAN Chun-ling  CHANG Chang-yuan  ZOU Yi-zhao
Affiliation:Microelectronics Center , Southeast University, Nanjing 210096,China
Abstract:
Keywords:BiCMOS
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