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| PSG低压CVD装置 | |
| 引用本文： | 黑河治重,崔恩录.PSG低压CVD装置[J].微纳电子技术,1980(6). |
| 作者姓名： | 黑河治重 崔恩录 |
| 摘 要： | <正> 使用扩散炉采取低压方法的 CVD 技术与以往常压方法相比,在大直径硅片的装片容量和生长膜的均匀性方面都有提高,对高密度高质量的超大规模集成电路的研制会有很大贡献。表1列出的数据是目前半导体制造工艺采用低压 CVD 装置获得的。但是关于器件工艺中的扩散源、铝布线后的钝化以及多层金属布线的绝缘膜等方面最为需要的低温磷硅玻璃(PSG)膜的生长技术,膜厚及磷浓度(方块电阻)分布的控制是困难的, |
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