电子组装用自催化镀金工艺

描述了一种自催化化学镀金工艺(该工艺适用于电子组装尤其是引线焊接)。该工艺能获得满足或超过军用要求的高纯、无孔隙的软的任意厚度的镀金层。本工艺适用于多种有机层压板(FR—4、多官能团环氧)、加成法和减成法制作电路及陶瓷基板。本文将介绍该工艺的流程、镀液参数、镀液性能和相关的冶金学特性。该工艺可作为目前常用的化学浸Ni/Au工艺的极好的后道工艺。本文将讨论镀速、纯度、硬度及引线焊接数据与镀液使用时间的关系。该工艺的镀速可在1.5～2.5μm/hr间调整。即使镀液中有金属杂质及镀液老化,仍能获得纯(>99.93％)而软(<70Knoop努氏硬度)的镀层。本文还将介绍引线连焊数据与金层厚度及镀覆参数的关系。该工艺还能用于细线条(>50μm)小间距(>45μm)图形的镀金,且不损害线条精度或产生桥接。该工艺还具有极强的深镀能力,孔径比高达 15:1的PTH孔(孔径0.03mm,长0.45mm)亦能均匀施镀。