| 退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 张宁欣,侯生根,任天令,刘理天.退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响[J].仪器仪表学报,2003,24(Z2):309-310. |
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| 作者姓名： | 张宁欣 侯生根 任天令 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家"863"(2002AA404500)和"973"(G1999033105)资助项目. |
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| 摘 要： | 铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.
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| 关 键 词： | 退火制度PZT 溶胶凝胶 漏导电流 |
Influence of Annealing on Properties of PZT Ferroelectric Thin Films |
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