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| 选择性掺杂异质结晶体管 | |
| 引用本文： | 魏策军,尹晓明,邵全远,陈振荣.选择性掺杂异质结晶体管[J].电子学报,1985(6). |
| 作者姓名： | 魏策军 尹晓明 邵全远 陈振荣 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (魏策军，尹晓明，邵全远)，中国科学院半导体研究所(陈振荣) |
| 摘 要： | 利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60～90mS/mm。有些器件发现有负阻,跨导达190mS/mm。 |
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