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| MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 摘 要： | 针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件。经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题。 |
| 关 键 词： | MEMS片上测试系统 绝缘性能 片上高阻标准件 标定 |
Development of high resistance standard for the MEMS on-wafer insulation test |
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