2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在0．1μm CMOS技术中静电放电引起的氧化击穿的特性表征期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——在0．1μm CMOS技术中静电放电引起的氧化击穿的特性表征

摘要：
关键词：	CMOS技术静电放电氧化击穿 ESD
本文献已被维普等数据库收录！