双栅绝缘层a-Si TFT研究(英文)

采用阳极氧化法对Ta、Ae两种栅电极进行了氧化物获得及性能研究。 低阻Ta膜的获得是至关重要的,我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件,并获坡度可达30-45°的蚀刻条件。 阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制,其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大,在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现,在严格控制实验条件下,可使TFT的场迁移率得以改善,相应开态电流有所增长。