摘 要: | 200008 等离子体脉冲沉积法制备含氮的无定形炭薄膜 [刊,日 ]HIDEO YAMADA and OSAMU TSUJI∥炭素, 2000,№ 191:24~ 31 以乙腈为原料在射频 13.56 MHz采用自给偏压方法沉积制备了含氮的无定形炭薄膜。通过等离子体脉冲沉积技术控制沉积温度,详细研究了沉积条件对薄膜沉积过程中 N原子行为的影响。结果表明,与不掺杂 N的硬质无定形炭薄膜相比,只有在较高的射频和较高的沉积温度下可以得到掺杂 N的高质量膜,而且 N的加入降低了膜的内应力,而薄膜的硬度没有明显改变。 X射线光电子谱图表明,随沉积温度的升高和射频的…
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