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带温度与工艺补偿的新型振荡器
引用本文:李庆山,胡锦,李湘春. 带温度与工艺补偿的新型振荡器[J]. 固体电子学研究与进展, 2013, 33(4)
作者姓名:李庆山  胡锦  李湘春
作者单位:1. 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;苏州锐控微电子有限公司,江苏,苏州,215000
2. 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082
3. 苏州锐控微电子有限公司,江苏,苏州,215000
摘    要:设计了一种能够对温度和工艺进行补偿的振荡器电路,无外部器件连接,芯片采用自补偿技术对温度和工艺进行检测并校准,而不需要额外的修调。使用0.18μm CMOS工艺,工作温度变化范围为-30~70℃,输出频率最大偏差为2%,芯片面积为0.12mm2。电源电压为3.3V,室温正常工作时功耗为165μW。

关 键 词:自补偿技术  振荡器  校准

Temperature and Process Compensation in an Innovative Oscillator
LI Qingshan , HU Jin , LI Xiangchun. Temperature and Process Compensation in an Innovative Oscillator[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2013, 33(4)
Authors:LI Qingshan    HU Jin    LI Xiangchun
Abstract:
Keywords:self-compensation technique  oscillator  calibration
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