砷化镓场效应晶体管掺铁外延层的生长

采用Ga/AsCl_3/N_2汽相系统和一种新掺杂法生长了掺铁砷化镓外延层。将掺铁层作为场效应晶体管外延层的缓冲层,并对其特性进行了研究。发现外延层中铁的浓度和掺铁气体(FeCl_2)的蒸气压成正比。可制备出电阻率高达10~4欧姆·厘米以上的外延层,而不增加晶体缺陷和除铁以外的其它杂质。观察到通过在有源层与衬底之间嵌入掺铁缓冲层而改进了掺铬衬底上亚微米有源层的电特性。