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杂志ISSN号
深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究
引用本文:
任红霞,张晓菊,郝跃. 深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究[J]. 电子器件, 2003, 26(3): 233-239
作者姓名:
任红霞
张晓菊
郝跃
作者单位:
西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071
摘 要:
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子性能,但其漏极驱动能力低于平面器件,并从内部物理机制上解释了上述区别。
关 键 词:
槽栅 PMOSFET 栅极特性 漏极特性 热载流子效应
文章编号:
1005-9490(2003)03-0233-07
修稿时间:
2003-04-13
Study on the Characteristics for Deep-Sub-Micron Grooved-Gate PMOSFET
Abstract:
Keywords:
grooved-gate PMOSFET
gate characteristics
drain characteristics
hot-carrier-effect
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