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| 一种新的硅深槽刻蚀技术研究 | |
| 作者姓名： | 钱钢 张利春 阎桂珍 王咏梅 张大成 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层，结果得到了深约６μｍ，侧壁垂直接近９０°的硅深槽． |
| 关 键 词： | 硅 深槽刻蚀 反应离子刻蚀 |
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