| a-Si太阳电池p层微晶结构的研究 |
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| 引用本文： | 郝国强,张德贤,张延生,张存善. a-Si太阳电池p层微晶结构的研究[J]. 电源技术, 2003, 27(5): 459-461 |
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| 作者姓名： | 郝国强 张德贤 张延生 张存善 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学,天津,300130
2. 南开大学,天津,300071 |
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| 摘 要： | 用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜。通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2eV左右,接着又用μC Si∶H与传统所用的a SiC∶H分别做电池的p层,比较了二者的I V特征,发现μC Si∶H作为电池的p层有更大的优越性。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积法 微晶氢化硅 转化效率 太阳电池 |
| 文章编号： | 1002-087X(2003)05-0459-03 |
| 修稿时间： | 2002-11-26 |
Study on p-type microcrystalline of a-Si solar cells |
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| HAO Guoqiang,ZHANG Dexian,ZHANG Yansheng,ZHANG Cunshan. Study on p-type microcrystalline of a-Si solar cells[J]. Chinese Journal of Power Sources, 2003, 27(5): 459-461 |
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| Authors: | HAO Guoqiang ZHANG Dexian ZHANG Yansheng ZHANG Cunshan |
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| Affiliation: | HAO Guoqiang~1,ZHANG Dexian~2,ZHANG Yansheng~1,ZHANG Cunshan~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) microcrystalline hydrogenated silicon efficiency solar cells |
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