|
|||||
|
|
| 嵌入式非平衡超结LDMOST | |
| 引用本文： | 王文廉,王玉,张晋文.嵌入式非平衡超结LDMOST[J].固体电子学研究与进展,2014(2):170-173. |
| 作者姓名： | 王文廉 王玉 张晋文 |
| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;中北大学电子测试技术国家重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61106077) |
| 摘 要： | 提出一种嵌入式非平衡超结器件结构,在n型外延层上通过高能注入间隔的p型埋层,形成嵌入式的超结结构。n型电荷与p区在四周形成电荷耗尽,相对于常规的超结更利于提高漂移区浓度,改善导通电阻;同时,器件的表面是完整的n型区,缓解了场氧工艺中吸硼排磷效应对超结的影响,有利于控制超结的电荷平衡。三维器件仿真结果表明,在漂移区长度为10μm时,新结构下的器件耐压达到220V,而导通电阻为常规超结LDMOST的76%。 |
| 关 键 词： | 功率器件 嵌入式非平衡超结 衬底辅助耗尽效应 |
Embedded Unbalanced Super-junction LDMOST |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |