单晶硅非平衡磁控溅射等离子体基离子注入钼的XPS研究

采用非平衡磁控溅射及射频激励产生金属等离子体，在单晶晶体Si上等离子体基离子注入钼，选择不同的靶基距，即不同的Mo沉积速率，研究了沉积速度对Si中Mo注入层的影响，用X光电子能谱（XPS）对注入层中M o的深度分布和化学态进行了分析，结果表明：注入过程由两部分组成，即反冲注入（包括级联碰撞引起注入原子的位移）和金属的纯注，随靶基距增大，沉积速率减少，样品表面沉积层厚度减小，注入层厥厚，靶基距为300mm时，纯注入层厚度与理论计算值接近，XPS多道分析判断有MoSi2相生成。