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| SnO_2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制 | |
| 引用本文： | 索辉,向思清,阮圣平,张彤,徐宝琨,王立军.SnO_2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制[J].微细加工技术,2000(2). |
| 作者姓名： | 索辉 向思清 阮圣平 张彤 徐宝琨 王立军 |
| 基金项目： | 国家自然基金资助项目!(6 9774 0 2 7) |
| 摘 要： | 利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大 |
| 关 键 词： | 纳米晶薄膜 场效应晶体管 气敏元件 |