| 低压MOCVD法制备TiO_2薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 李文军,李文漪,赵君芙,吴争鸣,武正簧,赵小林,蔡炳初.低压MOCVD法制备TiO_2薄膜的研究[J].微细加工技术,2000(3). |
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| 作者姓名： | 李文军 李文漪 赵君芙 吴争鸣 武正簧 赵小林 蔡炳初 |
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| 摘 要： | 以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃～ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃～ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。
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| 关 键 词： | MOCVD 二氧化钛 薄膜 制备 结构特性 |
Study on TiO_2 Thin Films Prepared by Low Pressure MOCVD |
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| Li Wen?jun ,LI Wen?yi ,ZHAO Jun?fu ,WU Zheng?ming ,WU Zheng?huang ,ZHAO Xiao?lin ,CAI Bing?chu.Study on TiO_2 Thin Films Prepared by Low Pressure MOCVD[J].Microfabrication Technology,2000(3). |
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| Authors: | Li Wen?jun LI Wen?yi ZHAO Jun?fu WU Zheng?ming WU Zheng?huang ZHAO Xiao?lin CAI Bing?chu |
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| Affiliation: | Li Wen?jun 1,LI Wen?yi 2,ZHAO Jun?fu 3,WU Zheng?ming 3,WU Zheng?huang 3,ZHAO Xiao?lin 1,CAI Bing?chu 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD titanium dioxide thin films preparation structural properties |
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