| 倾斜磁控溅射制备低阻高透ITO薄膜及其光电特性 |
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| 引用本文： | 赵海娇,王丛,石晓光,刁训刚. 倾斜磁控溅射制备低阻高透ITO薄膜及其光电特性[J]. 功能材料与器件学报, 2010, 16(6) |
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| 作者姓名： | 赵海娇 王丛 石晓光 刁训刚 |
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| 作者单位： | 长春理工大学理学院,长春,130022;北京航空航天大学理学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 利用直流磁控溅射方法,在Ar和O_2的混合气氛中,采用陶瓷靶制备ITO薄膜;采用紫外-可见-红外分光光度计和四探针法研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果表明,当靶材角度在23-25°、O_2流量在7-9sccm、溅射时间在60-90 min和溅射功率在100-120W时获得可见光透过率高于90%,方阻在10-20Ω/□之间的优质ITO薄膜。
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| 关 键 词： | ITO透明导电膜 直流磁控溅射 室温沉积 靶材倾斜角度 |
Preparation and characteristics of ITO thin films with high transmittance and low resistance by tilt magnetron sputtering |
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| ZHAO Hai-jiao,WANG Cong,SHI Xiao-guang,DIAO Xun-gang. Preparation and characteristics of ITO thin films with high transmittance and low resistance by tilt magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2010, 16(6) |
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| Authors: | ZHAO Hai-jiao WANG Cong SHI Xiao-guang DIAO Xun-gang |
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