10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管 |
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引用本文: | 吴志维,汤宝,王任凡.10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管[J].半导体技术,2014(4):285-288. |
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作者姓名: | 吴志维 汤宝 王任凡 |
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作者单位: | 光迅科技有限公司; |
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摘 要: | GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求。着重研究了在半导体制作工艺中所涉及的光刻、腐蚀、表面钝化以及欧姆接触等问题,研制出暗电流小、响应速率高、响应度高而且可靠性良好的短波长高速pin光电二极管。在产品应用之前的可靠性测试中,老化时间大于2 000 h的情况下仍能保持良好的暗电流特性,满足工业化生产的条件。
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关 键 词: | nm波段 数据通信 pin光电二极管 AlGaAs/GaAs 半导体工艺 |
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