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| 一种CMOS磁敏传感器 | |
| 引用本文： | S.POPOVIC,P.BALTES,李华.一种CMOS磁敏传感器[J].仪器仪表与分析监测,1986(1). |
| 作者姓名： | S.POPOVIC P.BALTES 李华 |
| 摘 要： | 一、前言为将磁敏感结构作为硅传统集成电路的一部分集成起来,发展了一种集成电路。它们一般用作位置传感器(如用在键盘、机床电机上等),磁电极,交流/直流电流传感器等。第一个磁敏MOS器件是由Gallagher和Corak发明的MOS霍尔元件。这种器件可以获得10~3V/AT的灵敏度。由Fry和Hoey设计的一种对漏MOS晶体管电路可 |
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