| InP材料Zn扩散的新方法 |
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| 引用本文： | 谢生,陈朝,毛陆虹.InP材料Zn扩散的新方法[J].功能材料,2009,40(3). |
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| 作者姓名： | 谢生 陈朝 毛陆虹 |
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| 作者单位： | 谢生,毛陆虹,XIE Sheng,MAO Lu-hong(天津大学电子信息工程学院,天津,300072);陈朝,CHEN Chao(厦门大学物理系,福建,厦门,361005)
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，天津大学青年教师培养基金 |
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| 摘 要： | 为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.
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| 关 键 词： | 锌扩散 磷化铟 电化学电容-电压 电流-电压特性 |
A novel method for zinc diffusion in n-type InP |
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| XIE Sheng,CHEN Chao,MAO Lu-hong.A novel method for zinc diffusion in n-type InP[J].Journal of Functional Materials,2009,40(3). |
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| Authors: | XIE Sheng CHEN Chao MAO Lu-hong |
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| Affiliation: | 1.School of Electronic Information Engineer;Tianjin Unversity;Tianjin 300072;China;2.Department of Physics;Xiamen University;Xiamen 361005;China |
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