碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术 |
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作者单位: | ;1.昆明物理研究所 |
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摘 要: | 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功率分布为140 W与350 W,靶基距为40cm,基片摆动角度为±30°时,中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内,同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
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关 键 词: | 碲镉汞 红外探测器 表面钝化 膜层非均匀性 |
Passivation Technology of Composite Film on the HgCdTe IRFPA |
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