| 碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术 |
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| 引用本文： | 韩福忠, 耿松, 史琪, 袁授章, 杨伟声, 蒋俊, 汤金春. 碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术[J]. 红外技术, 2015, (10): 864-867. |
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| 作者姓名： | 韩福忠 耿松 史琪 袁授章 杨伟声 蒋俊 汤金春 |
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| 作者单位： | 1.昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 碲镉汞（Hg1－xCdxTe）红外器件的制备过程中，表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验，研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的 CdTe/ZnS 复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明，当 CdTe 与 ZnS 溅射靶功率分布为140 W 与350 W，靶基距为40cm，基片摆动角度为±30°时，中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内，同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 红外探测器 表面钝化 膜层非均匀性 |
Passivation Technology of Composite Film on the HgCdTe IRFPA |
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| HAN Fu-zhong, GENG Song, Shi Qi, YUAN Shou-zhang, YANG Wei-sheng, JIANG Jun, TANG Jin-chun. Passivation Technology of Composite Film on the HgCdTe IRFPA[J]. Infrared Technology , 2015, (10): 864-867. |
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| Authors: | HAN Fu-zhong GENG Song Shi Qi YUAN Shou-zhang YANG Wei-sheng JIANG Jun TANG Jin-chun |
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