| 回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙柏蔚,胡晓宁.回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响[J].量子电子学报,2007,24(2). |
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| 作者姓名： | 孙柏蔚 胡晓宁 |
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| 摘 要： | 对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.
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| 关 键 词： | 光电子学 HgCdTe长波器件 回熔 暗电流 |
Effect of the reflowing process on the Ⅰ-Ⅴ characteristics of LWIR HgCdTe photovoltaic detector |
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| SUN Bai-wei,HU Xiao-ning.Effect of the reflowing process on the Ⅰ-Ⅴ characteristics of LWIR HgCdTe photovoltaic detector[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2007,24(2). |
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| Authors: | SUN Bai-wei HU Xiao-ning |
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