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| Ⅲ族氮化物材料制备 | |
| 引用本文： | 李雪.Ⅲ族氮化物材料制备[J].红外,2004,6(7):24-27. |
| 作者姓名： | 李雪 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 摘 要： | Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法，并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 氮化镓材料 晶格匹配 金属有机化学汽相沉积 卤化物汽相外延技术 |
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