|
|||||
|
|
| Ⅲ族氮化物材料制备 | |
| 作者姓名： | 李雪 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 摘 要： | Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法，并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 氮化镓材料 晶格匹配 金属有机化学汽相沉积 卤化物汽相外延技术 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《红外》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外》下载全文 | |
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |