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| β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质 | |
| 作者姓名： | 张俊刚 夏长泰 吴锋 裴广庆 徐军 邓群 徐悟生 史宏生 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院,研究生院,北京100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203 |
| 摘 要： | 用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4 和Ti4 的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射. |
| 关 键 词： | 浮区法 宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶 |
| 文章编号： | 1001-9731（2006）03-0358-03 |
| 收稿时间： | 2005-07-04 |
| 修稿时间： | 2005-07-042005-09-06 |
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