| SiC肖特基紫外光电探测器的研制 |
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| 引用本文： | 王丽玉,谢家纯,刘文齐.SiC肖特基紫外光电探测器的研制[J].半导体光电,2004,25(1):25-28. |
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| 作者姓名： | 王丽玉 谢家纯 刘文齐 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学理化科学中心,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器.测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V特性.其光谱响应范围均是200～400 nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310 nm,光谱响应半宽是73 nm,室温7 V偏压下光谱响应峰值86.72 mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300 nm、83 nm、45.84 mA/W及18.98%.Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81 V,Ni/n-4H-SiC是0.52 V,两者反向击穿电压均大于200 V,反向漏电流小于1×10-10 A.
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| 关 键 词： | 紫外探测 SiC 宽禁带 肖特基 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)01-0025-04 |
| 修稿时间： | 2003年6月12日 |
Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors |
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| WANG Li-yu.Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors[J].Semiconductor Optoelectronics,2004,25(1):25-28. |
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| Authors: | WANG Li-yu |
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| Affiliation: | WANG Li-yu~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ultraviolet detection silicon carbide wide band gap Schottky |
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