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| 金属氧化物半导体气敏特性的研究（Ⅲ）实用化研究（续… | |
| 引用本文： | 吕红浪,刘文利.金属氧化物半导体气敏特性的研究（Ⅲ）实用化研究（续…[J].山东工业大学学报,1996,26(4):436-440,450. |
| 作者姓名： | 吕红浪 刘文利 |
| 摘 要： | 本文从实验和理论上对用粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚温度、掺杂量等进行了研究，并根据研究的结果和有关理论对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制的器件的一些性能。 |
| 关 键 词： | 金属氧化物 半导体 气敏特性 |
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