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| 透明导电ZnO：Sn薄膜光学和电学性能的研究进展 | |
| 引用本文： | 谌夏,方亮,吴芳,阮海波,魏文猴,黄秋柳.透明导电ZnO：Sn薄膜光学和电学性能的研究进展[J].半导体光电,2012,33(1):1-6. |
| 作者姓名： | 谌夏 方亮 吴芳 阮海波 魏文猴 黄秋柳 |
| 作者单位： | 重庆理工大学材料科学与工程学院,重庆,400054;重庆大学应用物理系,重庆,401331 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，重庆大学研究生创新基金项目，重庆大学“211工程”三期创新人才培养计划建设项目，重庆大学大型仪器设备开放基金项目 |
| 摘 要： | 纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高透光率的有效途径。 |
| 关 键 词： | 宽禁带半导体材料 ZnO：Sn薄膜 光学性质 电学性质 |
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