| 工艺参数和热处理温度对ZrW_2O_8薄膜制备的影响 |
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| 引用本文： | 刘红飞,程晓农,张志萍,付廷波. 工艺参数和热处理温度对ZrW_2O_8薄膜制备的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(Z1): 42-46 |
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| 作者姓名： | 刘红飞 程晓农 张志萍 付廷波 |
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| 作者单位： | 江苏大学,材料科学与工程学院,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 江苏省高校自然科学基金 , 江苏大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用WO3和ZrO2复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、表面粗糙轮廓仪和扫描电子显微镜(SEM),研究了不同工艺参数和不同退火温度对ZrW20s薄膜的相组成、沉积速率和表面形貌的影响.采用高温X射线衍射和Powder X软件研究薄膜的负热膨胀特性.实验结果表明随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW20s薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大;在740℃热处理3 n血后得到膜层颗粒呈短棒状的三方相ZrW2O8薄膜,在1200℃密闭条件下热处理3 min淬火后得到膜层颗粒呈球状的立方相ZrW2O8薄膜,且具有良好的负热膨胀特性.
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| 关 键 词： | 钨酸锆 薄膜 磁控溅射 负热膨胀 工艺参数 处理温度 薄膜制备 影响 Growth Conditions 立方相 球状 淬火 条件 密闭 三方相 短棒状 热处理 颗粒 膜层 表面平滑 非晶态 溅射沉积 磁控 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)增刊-042-05 |
| 修稿时间： | 2007-08-25 |
Deposition Conditions and Growth of ZrW2O8 |
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| Liu Hongfei,Cheng Xiaonong,Zhang Zhiping,Fu Tingbo. Deposition Conditions and Growth of ZrW2O8[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2008, 28(Z1): 42-46 |
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| Authors: | Liu Hongfei Cheng Xiaonong Zhang Zhiping Fu Tingbo |
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