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| SSOT－6FLMP N沟道MOSFET | |
| 摘 要： | 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出的30V、9mΩFDC796N和100V、70mΩFDC3616N高效N沟道MOS FET器件是专为处理1.8W的功率耗散而设计的 ,是各种应用范畴的小型DC/DC电源的理想解决方案 ,包括电信设备和互联网集线及路由器 ,以及仪表设备和ATE设备。FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的成员 ,该系列器件结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和先进的SuperSOTTM -6FLMP(倒装引脚铸模封装)技术 ,封装所占的电路板空间比SO -8少70 %。FDC796N同时可提供极低的RDS(on)额定值和低栅极电荷(… |
| 关 键 词： | 飞兆半导体公司 MOSFET 功率耗散 FDC796N FDC3616N SSOT-6FLMP 倒装引脚铸模封装 |
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