| Ka波段功率PHEMT的设计与研制 |
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| 引用本文： | 郑雪帆 陈效建. Ka波段功率PHEMT的设计与研制[J]. 固体电子学研究与进展, 1999, 19(3): 266-273 |
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| 作者姓名： | 郑雪帆 陈效建 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。
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| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 功率 毫米波 异质结 双平面掺杂 |
Ka band Power PHEMT |
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| Zheng Xuefan Chen Xiaojian Gao Jianfeng Wang Junxian. Ka band Power PHEMT[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1999, 19(3): 266-273 |
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| Authors: | Zheng Xuefan Chen Xiaojian Gao Jianfeng Wang Junxian |
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| Abstract: | This paper describes the design and performance of a Ka band power PHEMT.We have successfully developed a 0.2 μm T gate double δ doping AlGaAs/InGaAs PHEMT process for the fabrication of power devices.The measured power device exhibited an output power of 280 mW with 6.0 dB gain at 33 GHz. |
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| Keywords: | PHEMT Power Millimeter Wave Heterojunction Double δ Doping |
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